Láser ultrarrápido en grafeno permite el transistor cuántico de petahercios más rápido del mundo

Un equipo de investigadores del Departamento de Física ha desarrollado un método innovador para manipular el comportamiento de los electrones en el grafeno utilizando pulsos láser ultrarrápidos. Estos pulsos, que duran menos de una billonésima de segundo (femtosegundos), permiten la creación de un dispositivo denominado transistor cuántico de petahercios. El grafeno, una sola capa de átomos de carbono dispuestos en una estructura hexagonal, es conocido por sus excepcionales propiedades eléctricas y mecánicas. Al aplicar pulsos de luz extremadamente breves sobre el grafeno, los investigadores lograron inducir cambios electrónicos a velocidades sin precedentes, potencialmente alcanzando el rango de petahercios (un cuatrillón de ciclos por segundo). Este avance demuestra la posibilidad de controlar procesos electrónicos en escalas de tiempo mucho más cortas que las alcanzadas anteriormente, lo que podría tener importantes implicaciones para el desarrollo de la computación cuántica y dispositivos electrónicos ultrarrápidos en el futuro. La investigación fue reportada por eeNews Europe.